반도체 용어를 공정 흐름과 직무 언어로 정리했습니다

D램 다이를 4·8·12·16단으로 적층하고 TSV로 수직 연결해 1024비트 이상의 광폭 인터페이스를 갖춘 ‘초고대역폭 메모리’. AI 가속기·HPC·그래픽의 표준 메모리로 자리잡았다.

13.5nm 파장의 극자외선을 이용해 한 번의 노광으로 매우 미세한 패턴을 그려 내는 차세대 노광 기술. ASML의 NXE·EXE 시리즈 스캐너가 사실상 단일 공급사이며, 첨단 로직과 D램 양산의 결정적 도구다.

빛으로 마스크의 회로 패턴을 빛에 민감한 포토레지스트(PR)에 옮겨, 식각·이온주입 등의 후속 공정을 위한 ‘마스크 패턴’을 웨이퍼 위에 만드는 공정. 회로 선폭과 층간 정렬 품질을 결정하는 핵심 제조 단계다.

포토 공정으로 만든 PR 패턴을 마스크로 삼아, 그 아래의 박막(산화막·질화막·금속·실리콘 등)을 화학·물리적으로 깎아 회로 패턴을 실제 형상으로 옮기는 공정.

연마 패드와 슬러리(연마액)를 이용해 웨이퍼 표면을 화학·기계적으로 동시에 평탄화하는 공정. 다층 배선·STI·다마신·HBM TSV 같은 첨단 공정에 필수다.

여러 다이를 그 위에 올리고 미세 RDL과 TSV로 다이 간 신호·전력을 연결하는 ‘중간 기판’. 2.5D 첨단 패키지의 핵심 부품이며, 본 위키 서비스 이름의 어원이기도 하다.

실리콘 다이를 위에서 아래로 관통하는 비아(전도성 통로). 다이를 수직으로 적층할 때 위·아래 다이를 직접 연결하는 핵심 인터커넥션이며, HBM과 인터포저 양쪽에서 결정적인 역할을 한다.

설계는 하지 않고, 팹리스나 IDM이 가져온 설계 데이터(GDS)를 받아 웨이퍼 위에 칩을 ‘제조’만 해 주는 전문 위탁생산 사업 모델. TSMC가 1987년 모리스 창에 의해 창업되며 본격화됐다.