[DB하이텍] 경력사원 공개채용 (6월)

AI 요약

주요 업무

• [Analog & Power IC 공정 및 소자 개발] 반도체 소자 공정 개발 및 Logic(Analog & Power, Memory) 광학 면 담당
• [Analog & Power IC] Design Rule을 활용하여 TR의 TEG 제작, Lot Flow 및 전기적 특성 분석 업무 수행
• [Analog & Power IC] 소자의 파라 및 다중 소자에 대한 물성 파악 및 보완 진행, mask 및 module integration 업무 수행
• [GaN Process] GaN을 이용한 power device 용 Fab process 개발 및 평가 업무 수행 (대면적 GaN fab process 개발(단공 공정 개발 포함), GaN fab process (Si위 및 SiC위의) 대응)
• [GaN Epi] GaN을 이용한 power device 영 Epi 공정 개발 및 평가 업무를 담당 (대면적 GaN on Si Epi 공정(구조, Recipe) 개발, MOCVD 설비 관리/운영, 개발 업무 및 Project 및 GaN Epi 양산 이전 업무 대응)
• [SiC 소자개발] SiC MOSFET 소자개발 (단위 Fab 공정 및 Process Integration 업무 수행, Static & Dynamic Test 및 소자의 인가적 특성을 측정하여 분석, Front-end 공정 설계 및 Layout 업무 수행, 양산전환(PV) 이전에 대한 내용 업무 수행)
• [IGBT] 반도체의 IGBT Cell 및 Ring Design 설계 업무 수행, 소자 특성평가 및 구조 분생을 위한 Test Pattern 설계 및 Layout 업무 수행, Front-side 및 Back-end Dual Process integration 공정 개발 및 담당, 개발 소자의 Static & Dynamic Test를 수행하고, 전기적 특성을 측정 및 분석(Characterization)하는 업무 수행
• [고전력 소자 TCAD] 고전력 소자 BEOL에 대한 TCAD 분석 기술 확보 업무 수행, 반도체 BEOL 영역 기계적/전기적 불량에 대한 원인 분석 및 개선 업무 수행
• [DRC/LVS/LPE 개발 및 고객 기술 지원] DRC(Design Rule Check), LVS(Layout Versus Schematic), LPE(Layout Parasitic Extraction) 개발 및 검증 업무 수행, 고객에 DRC/LVS/LPE 관련된 기술적 지원 제공, Program Language를 활용한 검증 Program 자동화 Utility 개발
• [고전력 소자 SPICE Model 개발] GaN, SiC, Super-junction, IGBT 등 고전력 소자의 SPICE model 개발, Macro/behavioral SPICE modeling methodology 개발, 고전력 소자의 characterization 및 analysis 진행

자격 요건

• [Analog & Power IC] 메모리반도체 또는 비메모리 반도체 전공 관련 학사 이상
• [GaN Process] Si or GaN Unit process 및 process integration 경험, Process 및 device performance 연관성 분석 경험, Si(또는 GaN) Etch process 경험
• [GaN Epi] GaN on Si Epi(+★★) 이해 및 경험, MOCVD 설비 운영 및 경험
• [SiC 소자개발] 전자/재료/물리/화학 등 반도체 관련 전공 학사 이상, 반도체 관련 실무 경력 1년 이상
• [IGBT] Power Device(파워소자) 관련 석사 이상 보유자 (실무 경력 2년 이상), TCAD 사용 가능자
• [고전력 소자 TCAD] 석사 학위 이상 보유자(반도체 재료), 반도체 BEOL 관련 Simulation 경력 만 2년 이상
• [DRC/LVS/LPE] Calibre(Siemens사) DRC/LVS/LPE 개발 업무 경력 (학사: 만 5년 이상, 석사: 만 3년 이상, 박사(졸업 예정자 포함): 경력 무관)
• [고전력 소자 SPICE Model] 관련 전공 석사 이상 학위 보유자, SPICE model 추출/개발 경력 2년 이상 보유자(박사 경력 무관)

우대 사항

• [Analog & Power IC] SOI wafer 기반 Power IC 공정 및 소자 개발 경험 보유 ★★★, 5V~40V/60V~120V/200V~300V~350V 공정 개발 경험 보유 ★★★, 90nm~130nm tech node 공정/소자 개발 경험 보유 ★★★, TCAD 기반 소자 개발 및 전산 분석 가능자 ★★, PDK 개발을 위한 기술력 경력자 ★★, Embedded NVM 개발 경험 보유자 ★★, Si 기반 Device Physics 전문가 ★
• [GaN Process] GaN unit process set up 및 process integration ★★★, 100~650V GaN discrete 및 IC mask 제작 경험 ★★, GaN 이나 소자 및 device operation 이해 ★★, GaN process와 device performance 연관성 분석 경험 ★★
• [GaN Epi] Alxinx GaN MOCVD 경험 있는 자 ★★★, GaN process 및 device performance에 연관성 경험 경력자 ★★, Power 제품 개발 고려 이해(이시사, 9억 이하(이시사) ★
• [SiC 소자개발] Fab Process Engineering 경험자, Device Physics 교육 이수자
• [IGBT] Data Sheet 제작 및 Board 설비 Test 운영자 ★★★
• [고전력 소자 TCAD] 고전력 소자 BEOL 관련 TCAD Simulation 경험 혹은 전공자 ★★★, BEOL 기계적/전기적 failure 분석 경험 보유자 ★★, 반도체 공정/재료 관련 박사학위 보유자 ★
• [DRC/LVS/LPE] 전자 공학 개발 전공(학사 포함 석사 이상) ★★★, 반도체 소자 및 공정 관련 지식 보유자 ★★★, Cadence/Synopsys/Empyrean사 Ruledeck 개발 경험 보유자 ★★★, Programming Language(Python, C/C++, Tcl/Tk)를 활용한 개발/검증을 위한 Utility 개발 경험 보유자 ★★, 아날로그/디지털 회로 설계 경험자 ★
• [고전력 소자 SPICE Model] Behavioral(mathematical) SPICE model 개발 경력 ★★★, Device physics 교육 이수 ★★★, Compact model 개발 경력 ★★
• 접수 기간: 2026.6.9(월) ~ 2026.6.22(일) 23:59까지 DB그룹 채용사이트(https://dbgroup.recruiter.co.kr) 온라인 접수
• 전형 절차: 서류 전형(마감 후 2주 이내) → 면접 전형(직무 및 조직적합도 종합평가) → 처우협의/채용검진 → 입사
• 문의: recruit.semi@dbhitek.com, 카카오톡 플러스 친구(DB하이텍_채용)

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